BUK9213-30A是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用TO-263封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于需要高效能和高可靠性的设计。
这款MOSFET通过优化的工艺设计实现了低损耗特性,能够有效降低系统功耗,同时具备快速开关速度,非常适合高频应用环境。
最大漏源电压:45V
最大连续漏极电流:30A
导通电阻(Rds(on)):8mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:47nC(典型值)
总功耗:155W
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻,有助于提高系统效率并减少发热。
2. 快速开关性能,支持高频工作场合。
3. 高雪崩能量能力,增强了在异常条件下的耐用性。
4. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
5. 稳定的电气参数,确保长时间运行的可靠性。
6. TO-263封装提供良好的散热性能和机械稳定性。
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
5. LED照明系统的恒流控制。
6. 各类消费电子产品中的功率管理单元。
IRFZ44N
STP30NF06
FDP5800