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IXFX360N15T2 发布时间 时间:2025/8/6 10:05:02 查看 阅读:28

IXFX360N15T2是一款由IXYS公司生产的高功率双极性晶体管(BJT),专为高电流和高电压应用设计。该器件采用TO-264封装,具备良好的热性能和高可靠性,适用于需要大功率处理能力的电力电子系统。

参数

类型:双极性晶体管 (BJT)
   极性:NPN
   集电极-发射极电压 (Vce):1500V
   集电极电流 (Ic):360A
   功耗 (Ptot):1000W
   工作温度范围:-55°C 至 150°C
   封装类型:TO-264
   放大倍数 (hFE):典型值为30-80
   过渡频率 (fT):1MHz

特性

IXFX360N15T2是一款高性能的NPN型双极性晶体管,具有高耐压和大电流处理能力。其最大集电极-发射极电压为1500V,集电极电流可达360A,使其适用于高功率应用场景。该晶体管采用TO-264封装,具有良好的散热性能,有助于在高功率工作条件下保持稳定。
   该器件的hFE(电流增益)典型值在30到80之间,确保了在高电流条件下的良好控制性能。过渡频率(fT)为1MHz,表明其具备一定的高频响应能力,适用于中高频功率应用。
   IXFX360N15T2的工作温度范围为-55°C至150°C,展示了其在极端温度环境下的可靠性。此外,其高功率耗散能力(1000W)使其能够在恶劣环境下长时间运行而不会出现性能下降。

应用

IXFX360N15T2广泛应用于高功率电子设备中,如工业电源、电机驱动器、不间断电源(UPS)、焊接设备和电力转换系统。由于其高耐压和大电流特性,该晶体管特别适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。

替代型号

IXFX400N15T2, IXFX300N15T2

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IXFX360N15T2参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列GigaMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C360A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs715nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds47500pF @ 25V
  • 功率 - 最大1670W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件