40N03H 时间：2025/9/12 10:39:12 阅读：17

40N03H 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型场效应管。该器件适用于高频率开关应用，具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性等特点，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等场合。40N03H 的最大漏极电流为 190A，漏源极击穿电压为 30V，适合作为高效率功率开关使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：190A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 4.7mΩ（在 VGS=10V）
　　栅极电压范围：-20V ~ +20V
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220、TO-262、D2PAK（取决于具体型号）

特性

40N03H 是一款高性能功率 MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。其低 RDS(on) 特性使其在高电流应用中仍能保持较低的温升，提升整体系统稳定性。
　　此外，该器件具有快速开关特性，能够在高频条件下实现高效的开关操作，适用于如 DC-DC 转换器、同步整流器和马达驱动器等高频开关应用。
　　40N03H 采用先进的沟槽式栅极结构技术，增强了电流承载能力并优化了热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。该器件的封装设计（如 TO-220 和 D2PAK）有助于提高散热效率，适应多种 PCB 设计需求。
　　该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在恶劣工作环境下保持较高的可靠性。

应用

40N03H 主要应用于需要高电流、低导通损耗和高效率的功率电子系统中。典型应用包括：
　　? DC-DC 转换器和同步整流器
　　? 电池管理系统（BMS）中的高边或低边开关
　　? 高功率负载开关和电机控制
　　? 电源管理系统和服务器/电信电源
　　? 逆变器与 UPS（不间断电源）系统
　　由于其高耐流能力和低 RDS(on)，该器件非常适合用于高效率、紧凑型电源设计。