时间：2024/8/8 16:41:37
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这款N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench?工艺生产，该工艺针对rDS（导通）、开关性能和坚固性进行了优化。
VGS=10V，ID=11.2A时，最大rDS（on）=9.8mΩ
VGS=6V，ID=9A时，最大rDS（on）=16mΩ
高性能沟槽技术，实现极低的rDS（on）
广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
100%UIL测试
符合RoHS标准
DC/DC转换器和离线UPS
分布式电源架构和VRM
24V和48V系统的主开关
高压同步整流器
针脚数：8
漏源极电阻：0.0081Ω
耗散功率：2.5 W
阈值电压：2.7 V
输入电容：1228 pF
漏源极电压(Vds)：100 V
上升时间：5.6 ns
输入电容(Ciss)：1940pF 50V(Vds)
额定功率(Max)：2.5 W
下降时间：4.8 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：5 W
安装方式：Surface Mount
引脚数：8
封装：SOIC-8
长度：4 mm
宽度：5 mm
高度：1.5 mm
封装：SOIC-8
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tape&Reel(TR)
制造应用：电源管理,工业
