时间：2025/5/13 16:50:56
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TF070N04M 是一款基于硅基材料制造的 N 沟能量 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），广泛应用于功率转换电路中。该芯片采用先进的制程技术，能够实现较低的导通电阻和较高的开关速度。其设计适合于要求高效率和低功耗的应用场景。
TF070N04M 的封装形式通常为标准表面贴装器件（SMD）类型，有助于提升 PCB 空间利用率，并且具备良好的散热性能。
型号：TF070N04M
类型：N 沟道增强型 MOSFET
耐压：40V
连续漏极电流：70A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：26nC（典型值）
输入电容：1980pF（典型值）
总耗散功率：230W（在 Ta=25°C 条件下）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263 或 D2PAK
1. TF070N04M 具有极低的导通电阻 Rds(on)，能够在大电流条件下显著降低导通损耗。
2. 高速开关性能使其非常适合高频功率转换应用，例如 DC/DC 转换器和开关电源。
3. 芯片内置了 ESD 保护机制，提高了其抗静电能力，从而增强了可靠性。
4. 支持宽广的工作温度范围，适应工业级或汽车级应用场景。
5. 表面贴装封装便于自动化装配，并优化了散热路径，有助于提高系统的热稳定性。
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IRFZ44N, FDP5800, STP70NF06
