时间：2025/9/2 14:02:07
阅读：9
MRF843F 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高功率射频晶体管，属于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术的功率MOSFET。该器件广泛用于射频功率放大器应用，特别是在UHF（特高频）和VHF（甚高频）频段的广播、通信和工业设备中。MRF843F具备高增益、高效率和良好的热稳定性，适合用于连续波（CW）或脉冲信号放大。其封装形式为TO-247，便于散热和安装。
类型：LDMOS RF功率晶体管
工作频率：最高可达500 MHz
输出功率：典型值为430 W（在470 MHz时）
漏极电压：最大50 V
栅极电压：最大-10 V至+20 V
漏极电流：最大6.5 A（脉冲）
增益：典型值23 dB
效率：典型值65%
输入驻波比（VSWR）：典型值2:1
封装形式：TO-247
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
MRF843F 采用先进的LDMOS技术，具有优异的线性度和稳定性，适用于高功率射频放大器应用。该晶体管在高频下仍能保持较高的增益和效率，使其成为广播、通信和测试设备中的理想选择。其高输入阻抗减少了对前级驱动电路的要求，从而简化了系统设计。此外，MRF843F具备良好的热管理能力，能够在较高温度环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。该器件的封装设计有助于快速散热，确保在高功率条件下的稳定性。MRF843F在高电压和高电流条件下表现出色，具有较强的抗过载能力，适用于各种高要求的射频功率放大场景。
MRF843F 主要用于UHF和VHF频段的射频功率放大器，包括电视广播发射机、调频广播发射机、无线通信系统、工业加热设备以及射频测试设备。由于其高功率输出和良好的稳定性，MRF843F也适用于连续波和脉冲信号放大，满足广播和通信系统中对高效、高线性度放大器的需求。
MRF8430A, MRF843HR60, MRF843HR60S
