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STD25NF20 发布时间 时间:2025/6/3 21:13:24 查看 阅读:5

STD25NF20是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的MDmesh?技术,具有低导通电阻和高雪崩能力的特点,适用于多种开关和功率转换应用。它能够承受高达200V的漏源极电压,并提供低至0.19Ω的最大导通电阻(在Vgs=10V时)。这种MOSFET广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
  该器件采用TO-220封装形式,易于安装和散热设计,适合需要高效率和可靠性的电力电子应用。

参数

最大漏源极电压:200V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻(Vgs=10V):0.19Ω
  栅极电荷:34nC
  总功耗:160W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

STD25NF20的主要特性包括:
  1. 高电压耐受能力,额定电压为200V,适合高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  3. 高雪崩击穿能量,增强了器件的耐用性和可靠性。
  4. 快速开关速度,减少了开关损耗,提高了动态性能。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  6. MDmesh?技术的应用使得单位面积内可以容纳更多单元结构,进一步优化了电气性能。

应用

STD25NF20适用于以下应用领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 逆变器
  4. 电机控制和驱动
  5. 工业自动化设备
  6. 负载切换和保护电路
  7. 各种需要高效功率管理的场景

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STD25NF20参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥19.95000剪切带(CT)2,500 : ¥9.12674卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, STripFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)125 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)39 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)940 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)110W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63