KF2N60D KF2N60 时间：2025/9/11 19:01:23 阅读：2

KF2N60D是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于开关电源、DC-DC转换器及电机控制等应用中。它具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性等特点，适用于各种高效率功率管理场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：2A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.0Ω
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

KF2N60D具备出色的开关性能和低导通电阻，使其在高频开关应用中表现出色。其高耐压特性（600V）确保了在高压环境下稳定运行。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高温度下保持性能不变，适合长时间运行的电源系统。
　　封装形式通常为TO-220或类似散热良好的封装，便于安装和散热设计。
　　在栅极驱动方面，KF2N60D支持快速开关操作，降低了开关损耗，并提高了整体系统效率。
　　由于其稳定性和可靠性，KF2N60D被广泛用于工业电源、照明系统以及家用电器的功率控制部分。