FDS9958-NL是一款高性能的N沟道逻辑增强型MOSFET,采用超小型DFN2020-6封装形式,适合在空间受限的应用场景中使用。这款器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,使其成为便携式电子设备、电池供电产品以及各种高效能电源管理应用的理想选择。
该MOSFET由Fairchild(现为ON Semiconductor的一部分)设计制造,能够提供卓越的电气性能和可靠性,同时支持表面贴装技术(SMT),便于大规模生产。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.7A
导通电阻:45mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
栅极电荷:1.7nC(典型值)
输入电容:32pF(典型值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装类型:DFN2020-6
FDS9958-NL的主要特点是其出色的电气性能和紧凑的设计。以下是详细说明:
1. 超低导通电阻:该器件在Vgs=4.5V下的典型导通电阻仅为45mΩ,可显著降低导通损耗,提高效率。
2. 快速开关性能:由于其低栅极电荷(1.7nC),可以实现高频开关操作,减少开关损耗。
3. 小型化设计:DFN2020-6封装仅有2mm x 2mm大小,非常适合对尺寸要求严格的便携式设备。
4. 高可靠性:符合工业标准的静电防护能力和耐热性确保了器件在恶劣环境中的稳定运行。
5. 低栅极驱动需求:较低的驱动电压要求(通常为4.5V或10V)简化了电路设计,减少了外部元件的需求。
FDS9958-NL广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS):作为同步整流器或功率级开关使用。
2. 电池管理:适用于锂电池保护电路、充电控制以及负载切换:可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。
4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、数码相机等便携式设备中的电源管理。
5. 工业自动化:传感器接口、信号调理及低功率继电器替代方案。
6. LED驱动:用于背光调节和恒流驱动。
FDS9958P-NL