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HY628100BLG 发布时间 时间:2025/9/1 12:06:04 查看 阅读:6

HY628100BLG 是由 Hynix(现为 SK hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款芯片具有1Mbit的存储容量,组织方式为128K x 8位,适用于需要快速访问和高性能存储的应用场景。HY628100BLG采用CMOS技术制造,具有低功耗和高可靠性的特点,广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等领域。该芯片采用52引脚TSOP封装,适合高密度电路板设计。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:128K x 8位
  电源电压:3.3V 或 5V(视具体型号而定)
  访问时间:10ns、12ns、15ns等不同速度等级
  封装类型:52引脚TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)或商业级(0°C至70°C)
  输入/输出电压兼容性:与TTL和CMOS电平兼容
  最大工作频率:根据访问时间不同可支持高达100MHz以上的操作频率

特性

HY628100BLG 是一款高性能的异步SRAM芯片,其主要特性包括高速访问时间和低功耗设计。该芯片在读写操作中表现出色,能够在极短的时间内完成数据的存取,适用于需要快速响应的系统应用。其异步控制逻辑支持CE(芯片使能)、OE(输出使能)和WE(写使能)信号,允许灵活的外部控制和时序管理。
  HY628100BLG 采用先进的CMOS工艺制造,不仅提高了数据存储的稳定性,还有效降低了静态和动态功耗。其工作电压通常为3.3V或5V,具体取决于实际应用需求和版本类型,这种电压兼容性使其能够适应不同的系统设计。
  封装方面,HY628100BLG 使用52引脚TSOP封装,体积小且便于安装,适用于高密度的PCB布局。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度,确保芯片在恶劣环境中也能可靠运行。此外,芯片的引脚排列设计也便于布线和调试,提高了整体设计的灵活性。
  该芯片支持多种访问时间选项,例如10ns、12ns和15ns等,用户可以根据系统的时钟频率和性能要求选择合适的速度等级。这种灵活性使得HY628100BLG可以广泛应用于各种高速缓存、数据缓冲和临时存储的场景。

应用

HY628100BLG 主要应用于需要高速数据存储和访问的嵌入式系统和工业设备。例如,在通信设备中,该芯片可作为高速缓存用于临时存储网络数据包;在工业控制系统中,可用于存储实时数据和控制参数;在网络设备中,HY628100BLG 可作为缓冲器用于提升数据传输效率。
  此外,该芯片也常用于需要高可靠性和稳定性的汽车电子系统、医疗设备、测试仪器和视频处理设备。由于其低功耗和高稳定性,HY628100BLG 也非常适合用于便携式设备和电池供电系统中的临时数据存储模块。

替代型号

CY62148EVLL-SXIT、IS62WV5128ALLBIRZ、AS7C31026A-10TC、IDT71V416SA10PFG

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