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IRF7421D1TRPBF 发布时间 时间:2025/5/13 10:32:32 查看 阅读:18

IRF7421D1TRPBF是来自Infineon(英飞凌)的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TOLL封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,广泛应用于功率转换、电机驱动以及负载开关等领域。其设计旨在提高效率并降低功耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:89nC(典型值)
  总热阻(结到环境):43°C/W
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

IRF7421D1TRPBF具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著减少传导损耗。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
  3. 采用TOLL封装,提供卓越的散热性能和电气性能。
  4. 支持高频开关操作,适合高效功率转换应用。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  这些特点使其非常适合用于工业、汽车以及消费电子领域的多种应用场景。

应用

该芯片适用于以下应用领域:
  1. DC-DC转换器和降压电路中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
  3. 负载开关和保护电路。
  4. 工业设备中的功率管理模块。
  5. 汽车电子系统中的电池管理系统(BMS)和其他相关功能。
  由于其优异的电气特性和可靠性,IRF7421D1TRPBF成为许多高性能功率应用的理想选择。

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IRF7421D1TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FETKY™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 4.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7421D1PBFTRIRF7421D1TRPBF-NDIRF7421D1TRPBFTR-ND