时间：2025/12/27 8:04:04
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1N80L-TM3-T是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管，广泛应用于低电压、高效率的整流和续流场合。该器件采用SOD-123FL超小型封装，具有紧凑的尺寸和优良的热性能，非常适合在空间受限的便携式电子设备和高密度印刷电路板（PCB）设计中使用。1N80L-TM3-T的核心结构基于肖特基势垒技术，利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降（VF），通常在0.2V至0.4V之间（具体取决于工作电流），相比标准硅二极管可大幅减少功率损耗，提高系统整体能效。
该器件的额定重复反向电压（VRRM）为40V，最大平均整流电流（IO）为1A，能够承受高达30A的峰值浪涌电流（IFSM），表现出良好的瞬态过载能力。其反向漏电流（IR）在室温下典型值低于500μA，在高温环境下也保持较低水平，有助于提升高温工作稳定性。1N80L-TM3-T具备快速开关特性，反向恢复时间（trr）几乎可以忽略不计，接近于零，因此特别适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及防止反向电流的保护电路等应用场合。
型号：1N80L-TM3-T
类型：肖特基势垒二极管
封装/包装：SOD-123FL
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
最大重复反向电压 VRRM：40V
最大直流阻断电压 VR：40V
最大RMS电压 VRMS：28V
最大正向整流电流 IO：1A
峰值浪涌电流 IFSM：30A
最大正向电压 VF @ IF=1A：0.52V
最大反向电流 IR @ VR=40V, TA=25°C：500μA
工作结温范围 TJ：-65°C ~ +125°C
储存温度范围 TSTG：-65°C ~ +150°C
热阻 RθJA：200°C/W
反向恢复时间 trr：≤10ns
1N80L-TM3-T采用先进的肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降与快速开关响应的完美结合，使其在现代高效能电源管理设计中成为首选元件之一。其正向压降在1A电流下典型值仅为0.45V，最大不超过0.52V，这意味着在大电流导通状态下产生的功耗显著低于传统整流二极管，有效减少了发热问题，提升了系统的热稳定性和可靠性。这种低VF特性尤其有利于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，能够延长电池续航时间并改善能效表现。
该器件的反向恢复时间极短，通常小于10ns，几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），避免了因反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰（EMI）问题，因此非常适用于高频DC-DC变换器、同步整流替代、电源反接保护以及高速开关电路中。此外，SOD-123FL封装具有较小的寄生电感和电容，进一步优化了高频性能，并支持自动化贴片生产，提高了制造效率和一致性。
1N80L-TM3-T的工作结温范围宽达-65°C至+125°C，能够在严苛的环境温度条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围电路及消费类电子产品。其高浪涌电流承受能力（30A）确保在电源启动或负载突变时仍能安全工作，增强了系统的鲁棒性。器件符合RoHS指令和无卤素要求，满足现代绿色电子产品的环保标准，适合在全球范围内推广使用。
1N80L-TM3-T因其优异的电气特性和紧凑封装，被广泛应用于多种电源管理与信号处理场景。在便携式电子设备中，它常用于锂电池充电回路中的防反接保护二极管，防止电池反向接入损坏主控芯片；同时也在DC-DC升压或降压模块中作为续流二极管使用，配合电感完成能量存储与释放过程，提升转换效率。
在AC-DC适配器和小型开关电源中，该器件可用于次级侧整流，尤其是在低输出电压（如3.3V、5V）应用中，其低正向压降优势明显，可显著降低整流损耗，提高电源整体效率。此外，1N80L-TM3-T还适用于驱动继电器、电机或螺线管等感性负载时的续流保护，抑制关断瞬间产生的反向电动势对控制电路造成损害。
在太阳能充电控制器、USB电源接口、LED驱动电源等对能效和空间布局有较高要求的应用中，1N80L-TM3-T同样表现出色。其高频响应能力也使其可用于信号解调、钳位电路和逻辑电平移位等模拟与数字混合电路中。由于其SOD-123FL封装体积小（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），特别适合高密度PCB布局，广泛用于智能手机、无线耳机、智能手表、路由器、机顶盒等消费类电子产品中。
B140A-13-F
SMSB40T1G
RB054L-40TE25
MBR140U-M3
DMK14H40LN
