类型：射频功率晶体管
　　技术：硅双极型（Si BJT）
　　封装类型：陶瓷金属封装（CMOS）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：65V
　　最大集电极电流（IC）：2.5A
　　最大耗散功率（PD）：100W
　　频率范围：10MHz - 500MHz
　　增益：20dB（典型值）
　　输出功率：30W（典型值）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

RF5633HPCK-410 提供高功率输出和高增益，适用于多种射频应用。其关键特性包括优异的热性能、高稳定性和可靠性，以及良好的线性度和效率。该晶体管采用陶瓷金属封装，有助于提高散热性能和机械稳定性。此外，该器件具有良好的匹配输入和输出阻抗，减少了对外部匹配网络的需求，简化了设计过程。RF5633HPCK-410 在不同负载条件下均能保持稳定的性能，适用于高功率射频放大器和宽带应用。
　　该晶体管的基极-发射极结具有较低的电容，有助于在高频下实现良好的性能。其高击穿电压和大电流能力使其适用于高功率放大器设计。此外，RF5633HPCK-410 的封装设计有助于减少寄生电感和电容，从而提高高频性能。这种器件还具有良好的抗失真能力，适用于需要高保真信号放大的应用。

RF5633HPCK-410 主要用于射频功率放大器的设计，适用于工业、科学和医疗（ISM）设备、射频测试仪器、广播发射机和无线基础设施设备。该器件适用于需要高功率输出和高稳定性的应用，例如高频加热、等离子体生成、射频信号放大和无线通信系统中的功率放大器模块。此外，该晶体管还可用于军用通信设备、雷达系统和广播设备中的射频功率放大器设计。

RF5633HPCK-410 的替代型号包括 RF5633HPC、RF5633HPC 和 RF5633HPCK。