IRF7425TR是Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于功率转换、电机驱动、电源管理等场景,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。IRF7425TR采用TO-263-3(D2PAK)封装形式,适合表面贴装工艺,能够有效降低系统功耗并提高效率。
该MOSFET的设计优化了其在高频应用中的表现,同时具备出色的热性能,使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:80A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,当Vgs=10V时)
总功耗:190W
结温范围:-55℃至+175℃
开关时间:导通延迟时间td(on)=15ns,关断传播时间td(off)=20ns
输入电输出电容Coss:105pF
IRF7425TR的核心优势在于其极低的导通电阻(Rds(on)),这显著降低了功率损耗,并提高了整体系统的效率。此外,该器件还具有以下特点:
1. 快速开关能力,适用于高频应用场合。
2. 优异的热稳定性,能够在高温环境下长期运行。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件. 具备短路保护功能,提高了系统安全性。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
这些特性使得IRF7425TR在各种功率电子应用中表现出色,包括但不限于DC-DC转换器、逆变器、负载切换电路以及电池管理系统等。
IRF7425TR主要应用于需要高效功率转换和大电流处理能力的场景,例如:
1. 开关电源(SMPS)设计,用于提高能效并减小体积。
2. 工业电机驱动器,提供稳定的大电流输出。
3. 电动工具和家用电器中的功率管理模块。
4. 新能源领域,如太阳能逆变器和电动车充电设备。
5. 数据中心服务器电源供应单元(PSU)。
由于其卓越的电气特性和可靠性,IRF7425TR成为了许多工程师在设计高性能功率电路时的首选解决方案。
IRF7424TR, IRF7426TR