时间：2025/8/9 14:35:27
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2SK3681-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用。该器件具有低导通电阻和高速开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场合。该MOSFET采用SOT-23小型封装，适合高密度PCB设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
最大连续漏极电流（ID）：100mA
导通电阻（RDS(on)）：最大3Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
2SK3681-01具有多项优异特性，适用于多种电子系统设计。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率；同时具备良好的热稳定性，能够在高工作温度环境下保持稳定运行。该MOSFET采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的电路中使用。此外，它还具备较快的开关速度，适用于高频PWM控制和小型功率转换应用。器件的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可稳定工作，增强了其在不同电路设计中的适用性。2SK3681-01还具备良好的抗静电能力，提高了器件在实际使用中的可靠性。
该MOSFET在制造过程中采用了东芝先进的半导体工艺，确保了稳定的电气性能和较长的使用寿命。其在低电压应用中表现出色，能够有效提升整体系统的能效表现。
2SK3681-01常用于小型电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备、LED驱动电路、便携式电子产品以及电机控制模块。由于其体积小、功耗低、开关速度快，特别适合用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等对空间和能效要求较高的应用场合。此外，该器件也可用于工业控制电路中的小型功率开关和信号控制电路。
2SK3681-01的替代型号包括2SK3680-01和2SK3682-01，这些型号在电气参数和封装形式上相近，可根据具体电路设计要求进行选择。
