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2SK2313(F) 发布时间 时间:2025/5/9 9:33:59 查看 阅读:4

2SK2313(F) 是一种N沟道MOSFET晶体管,主要用于高频功率放大器和开关电路中。它具有低导通电阻、高增益和良好的线性特性,适合于射频和音频应用。
  该器件广泛应用于广播发射机、通信设备和其他需要高效功率转换的场景。

参数

最大漏源电压:70V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:8A
  功耗:160W
  跨导:15S
  输入电容:140pF
  导通电阻:0.4Ω

特性

2SK2313(F) 拥有较高的击穿电压和较低的导通电阻,能够在高频条件下保持稳定的性能。
  其封装形式通常为TO-247或TO-247-3,便于散热处理。
  该器件还具有快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗。
  此外,它的漏源极之间的寄生电容较小,这使其非常适合高频功率放大器的设计。

应用

2SK2313(F) 主要用于射频功率放大器、音频功率放大器以及开关电源等应用领域。
  在业余无线电和专业通信设备中也常被用作末级功率放大器件。
  此外,它还可以用作电子负载或高速开关,在测试测量设备中有广泛应用。

替代型号

2SK2189, 2SK2314

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2SK2313(F)参数

  • 制造商Toshiba
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流60 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.011 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-3P
  • 封装Bulk
  • 下降时间65 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散150 W
  • 上升时间30 ns
  • 工厂包装数量50