时间：2025/8/6 12:09:53
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IXFN102N30P是一款由Littelfuse公司（原International Rectifier）生产的高功率N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效、高电流处理能力的电源管理与功率转换应用。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适用于工业电源、DC-DC转换器、电机控制、太阳能逆变器以及各种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：300V
最大漏极电流（Id）：102A（25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：最大0.017Ω（典型值0.015Ω）
栅极电荷（Qg）：170nC（典型）
最大功耗（Pd）：375W
封装形式：TO-247AC
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
IXFN102N30P采用先进的功率MOSFET技术，具备极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了效率。其高耐压能力（300V）使其适用于各种中高压应用。该器件的高电流容量（102A）允许其在高功率密度设计中使用，而不会出现过热问题。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，可在高工作温度下保持稳定性能。TO-247AC封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上以增强散热效果。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗。
由于其坚固的结构设计和出色的短路耐受能力，IXFN102N30P在恶劣工作条件下也能保持高可靠性。它还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在突变负载或电压尖峰情况下的稳定性。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可兼容标准的10V和12V驱动电路，便于与各类驱动IC或控制器配合使用。
IXFN102N30P广泛应用于工业电源、服务器电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机控制器、电池管理系统以及高功率开关电源（SMPS）等场景。由于其高效率和高可靠性，该MOSFET也常用于电动车充电系统、储能系统和工业自动化设备中的功率控制模块。
IXFN100N30P, IXFN90N30P, IRFP4868PBF, FDPF4868, SPW47N60CFD7
