时间：2025/8/5 12:47:22
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IXFH76N0711 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET，专为高频率、高效率电源转换应用而设计。该器件采用先进的沟道技术和低热阻封装，具备优异的导通和开关性能，适用于工业电源、逆变器、焊接设备、电机驱动和 UPS 等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：75V
最大漏极电流(Id)：连续 76A（Tc=25℃）
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：典型值 5.6mΩ（Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：典型值 82nC
漏源击穿电压(BR)：75V
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-247AC
IXFH76N0711 MOSFET 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率；高电流容量和耐压能力，使其适用于大功率应用场景；快速开关特性降低了开关损耗，提高了工作频率的适应性；采用先进的硅片技术和封装设计，具备良好的热性能和可靠性；此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在恶劣工况下的稳定性。
该 MOSFET 还具备低栅极电荷特性，有助于简化驱动电路设计，减少驱动损耗；其 TO-247AC 封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合在高功率密度和高温环境下使用。同时，该器件符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的应用场合。
IXFH76N0711 广泛应用于各类高功率、高频电源转换系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制逆变器、焊接电源、不间断电源（UPS）、工业自动化设备、储能系统和高功率 LED 驱动电源等。其优异的性能和可靠性也使其适用于新能源汽车充电设备、光伏逆变器和电动工具等对效率和稳定性要求较高的场合。
IXFH76N0711AS, IXFH76N07P3, IXFH76N07T2, IXFH76N07T4
