CM15MD1-12H 时间：2025/9/29 19:28:34 阅读：13

CM15MD1-12H是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用SOD-123FL封装。该器件集成了两个独立的肖特基二极管，采用共阴极配置（即两个二极管的阴极连接在一起），适用于高频开关应用和低压整流场景。由于其低正向压降和快速反向恢复特性，CM15MD1-12H在电源管理、DC-DC转换器、极性保护和信号整流等电路中具有广泛应用。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素设计，适用于现代绿色电子产品制造。
　　CM15MD1-12H的封装尺寸小巧（约2.0 x 1.25 x 1.0 mm），适合高密度PCB布局，特别适用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类消费类电子产品。其额定最大重复峰值反向电压为20V，最大平均整流电流为150mA，能够满足低功耗系统中的基本整流需求。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在正常工作条件下可长期稳定运行。

参数

型号：CM15MD1-12H
　　制造商：Central Semiconductor Corp
　　封装类型：SOD-123FL
　　二极管配置：双二极管共阴极
　　最大重复峰值反向电压(VRRM)：20V
　　最大直流阻断电压(VR)：20V
　　最大平均整流电流(IO)：150mA
　　峰值浪涌电流(IFSM)：1A
　　正向压降(VF)：450mV @ 150mA
　　最大反向漏电流(IR)：0.1μA @ 20V, 25°C
　　工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C

特性

CM15MD1-12H的核心特性之一是其采用肖特基势垒结构，这使得它相比于传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降（典型值仅为450mV @ 150mA）。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，尤其在低电压、小电流的应用环境中优势明显。低VF不仅有助于提升能效，还能减少发热，从而增强系统的热稳定性与可靠性。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，非常适合用于高频开关电路，例如在同步整流或高频DC-DC变换器中作为续流或箝位二极管使用。
　　该器件采用共阴极双二极管结构，提供了灵活的电路设计选项，可用于双路整流、输入极性保护、反向电压抑制以及信号路径切换等多种功能。SOD-123FL封装具有较小的寄生电感和电容，有利于高频性能的发挥，同时支持自动化贴片生产，提升了制造效率。器件的工作结温范围宽达-55°C至+125°C，表明其可在较恶劣的环境温度下可靠工作，适用于工业级和消费级多种应用场景。此外，产品通过AEC-Q101汽车级可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），进一步扩展了其在汽车电子中的适用性。所有材料符合RoHS指令要求，并采用无卤素设计，满足现代电子产品对环保和安全性的严格要求。

应用

CM15MD1-12H广泛应用于需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、蓝牙耳机、智能手表和无线充电接收器中，该器件常用于电池输入端的极性保护和反接防护电路，防止因电池反接导致主控芯片损坏。此外，在DC-DC降压或升压转换器中，它可作为辅助整流二极管或续流二极管使用，利用其低正向压降特性来提高整体转换效率，尤其是在轻负载或中等负载条件下表现优异。
　　在电源适配器、USB供电模块及低功率AC-DC电源次级侧电路中，CM15MD1-12H可用于多路输出的隔离整流环节。由于其共阴极结构，可以在双输出电源中实现共享接地的整流方案，简化PCB布局并节省空间。在高速数字信号线路中，该器件也可用作瞬态电压抑制和ESD保护元件，吸收高频噪声和突发脉冲，保障敏感IC的安全运行。此外，该器件还适用于传感器模块、IoT节点设备、LED驱动电路和小型电机控制电路中的信号整流与钳位功能。凭借其高可靠性和紧凑封装，CM15MD1-12H在追求小型化和高性能的现代电子设计中扮演着重要角色。