制造商：Vishay Semiconductors
　　产品系列：UMR
　　二极管类型：PIN 二极管
　　最大直流反向电压（Vr）：30 V
　　最大平均整流电流（Io）：100 mA
　　正向电压（Vf）：典型值 0.78 V @ If = 10 mA
　　反向恢复时间（trr）：最大值 4 ns
　　结温（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装/外壳：SOD-962（SC-107）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　峰值脉冲电流（Ifsm）：500 mA
　　电容（Ct）：典型值 0.9 pF @ Vr = 1 V, f = 1 MHz

UMR1V3R3MCD2 具备优异的高频响应能力，这主要归功于其内部 PIN 结构设计。在高频应用中，传统 PN 结二极管由于较大的扩散电容和较长的反向恢复时间，容易产生显著的信号失真和能量损耗。而 PIN 二极管中的本征层作为轻掺杂区域，能够有效降低结电容并提高载流子寿命，从而实现更快的开关速度和更低的非线性失真。这一特性使得 UMR1V3R3MCD2 特别适用于射频开关、衰减器以及调制解调电路等对响应速度要求极高的场合。此外，该器件在低电流驱动下仍能保持稳定的正向导通特性，确保在微弱信号环境下依然具备可靠的控制能力。
　　另一个关键特性是其超小型 SOD-962 封装所带来的低寄生效应。该封装尺寸仅为约 1.2 mm × 0.8 mm × 0.5 mm，不仅节省 PCB 空间，还极大减少了引线电感和杂散电容，这对于 GHz 频段的射频信号路径至关重要。在高频电路布局中，即使是极短的走线也可能引入不可忽略的阻抗变化，因此使用低寄生参数的元件有助于提升整体系统匹配精度和信号完整性。同时，该封装具备良好的散热性能，能够在连续工作状态下将热量高效传导至 PCB，避免局部过热导致性能下降或器件损坏。
　　该二极管还表现出出色的温度稳定性，在 -55°C 到 +150°C 的宽温度范围内均能维持一致的电气性能。这种稳定性源于其材料选择和制造工艺的优化，使其适用于工业级、汽车级乃至部分军用级应用场景。例如，在户外基站、车载通信模块或航空航天电子设备中，环境温度波动剧烈，元件必须具备足够的鲁棒性以应对极端条件。此外，该器件具有较高的反向击穿电压裕度和抗静电能力（ESD robustness），进一步增强了系统的可靠性和耐用性。尽管其最大平均整流电流仅为 100 mA，但在高频小信号应用中已完全满足需求，且不会因功率过高而导致热积累问题。

UMR1V3R3MCD2 主要应用于高频和高速开关电路中，尤其适合作为射频开关的核心元件。在无线通信系统中，如蜂窝基站、Wi-Fi 路由器、蓝牙模块和移动终端设备，该二极管可用于天线切换、双工器控制或发射/接收路径选择。由于其快速的反向恢复时间和低电容特性，能够在 GHz 级频率下实现高效的信号路由而不引入明显损耗或相位畸变。此外，它也被广泛用于射频衰减器电路中，通过调节偏置电流来改变 PIN 二极管的等效电阻，从而实现对射频信号幅度的精确控制，这在自动增益控制（AGC）系统中尤为关键。
　　在测试与测量仪器领域，该器件常被集成于高频探头、信号发生器或频谱分析仪的前端保护电路中，用于防止强信号输入损坏敏感的接收单元。其快速响应能力和高可靠性可有效吸收瞬态过载并迅速恢复正常工作状态。另外，由于其小型化封装优势，非常适合用于高密度贴装的便携式医疗设备、可穿戴电子产品和物联网（IoT）节点中，这些设备通常对体积和功耗有严格限制。
　　在雷达系统和卫星通信设备中，UMR1V3R3MCD2 可用于构建高频调制器或脉冲整形网络，利用其非线性导通特性实现信号调制功能。同时，在某些光通信接收模块中，也可作为辅助开关元件参与光电检测路径的选择与隔离。总之，该器件凭借其高频性能、小尺寸和高稳定性，已成为现代高频电子系统中不可或缺的基础组件之一。

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　　 "UMR1V3R3MCW2",
　　 "BAS70-04",
　　 "SMS7621",
　　 "HSMS-286x",
　　 "BAR50-03W"
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