时间：2025/5/10 18:05:44
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NRVTS12100EMFST1 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并减少功率损耗。它适用于各种电源管理、电机驱动和负载切换等应用场景。
型号：NRVTS12100EMFST1
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：360W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
NRVTS12100EMFST1 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 优秀的热稳定性，能够在高功率环境下保持高效运行。
4. 强大的浪涌电流能力，确保在异常条件下仍能正常工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 提供卓越的电气特性和机械耐用性，适合工业和汽车级应用。
NRVTS12100EMFST1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业逆变器和不间断电源(UPS) 系统。
4. 负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他新能源设备。
6. 各种需要大电流、高压工作的电子系统中。
IRFP260N
STP120NF12
IXFN120N12T
FDP120AN
