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IXFX52N30Q 发布时间 时间:2025/8/5 13:00:10 查看 阅读:30

IXFX52N30Q 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高功率、高效率的电力电子系统中。该器件采用 TO-247 封装,具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。IXFX52N30Q 通常用于电源转换器、电机控制、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和工业自动化设备等领域。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压 Vds:300V
  最大栅源电压 Vgs:±20V
  最大连续漏极电流 Id:52A
  最大功率耗散 Pd:250W
  导通电阻 Rds(on):典型值 0.052Ω(最大值 0.065Ω)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFX52N30Q 的核心特性在于其低导通电阻(Rds(on)),这一特性使其在导通状态下功耗极低,提高了整体系统的效率。
  该 MOSFET 采用先进的平面工艺制造,具备优异的热稳定性和抗过载能力,可在高温环境下稳定工作。
  其高电流承载能力(52A)和耐高压(300V)特性,使其适用于多种高功率应用,如开关电源、DC-DC 转换器、逆变器等。
  此外,IXFX52N30Q 的 TO-247 封装设计提供了良好的散热性能,便于安装在散热器上,进一步提高器件的可靠性和寿命。
  该器件还具有快速开关特性,适用于高频开关电路,有助于减小外部滤波元件的尺寸和系统整体体积。
  IXYS 公司在设计上采用了优化的结构,使得 IXFX52N30Q 在极端工作条件下(如高湿度、高振动环境)也能保持稳定的电气性能和机械强度。
  此外,该器件具有良好的短路耐受能力,能够在短暂的短路情况下不损坏,从而提高系统的鲁棒性和安全性。

应用

IXFX52N30Q 主要应用于各种高功率电力电子系统中,如开关电源(SMPS)、直流电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能光伏逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
  在开关电源中,该 MOSFET 可作为主开关器件,用于高效的 DC-DC 或 AC-DC 转换。
  在电机控制应用中,IXFX52N30Q 可用于 H 桥结构,实现电机的正反转控制和制动功能。
  在 UPS 系统中,该器件可用于 DC-AC 逆变器,将电池的直流电压转换为交流输出。
  在太阳能逆变器中,IXFX52N30Q 可用于构建高效的功率转换电路,将光伏板产生的直流电转换为交流电并网使用。
  此外,该器件也广泛用于工业自动化控制系统中的功率开关模块,实现对大功率负载的精确控制。

替代型号

IRF540N, FDP55N30, FQA50N30, STP55NF06

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IXFX52N30Q参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列HiPerFET?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)52A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)360W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PLUS247?-3
  • 封装/外壳TO-247-3 变式