IXFN26N90 时间：2025/8/6 12:47:18 阅读：17

IXFN26N90 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用场合。这款晶体管设计用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统，例如 DC-DC 转换器、电机控制、逆变器、电源管理系统以及工业自动化设备。IXFN26N90 具有低导通电阻（RDS(on)）的特点，能够在高电压（900V）条件下提供高达 26A 的连续漏极电流。该器件采用 TO-247 封装形式，便于安装和散热。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID）：26A
　　最大功率耗散（PD）：320W
　　导通电阻 RDS(on)：0.16Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFN26N90 MOSFET 的主要特性之一是其卓越的导通性能，低 RDS(on) 可以显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有优异的热性能，能够在高功率应用中保持稳定运行，并通过 TO-247 封装提供良好的散热能力。
　　另一个关键特性是其高耐压能力，最大漏源电压可达 900V，使其适用于高压直流（HVDC）转换器、开关电源（SMPS）等应用。此外，IXFN26N90 还具备较强的短路和过载能力，提高了器件在极端条件下的可靠性。
　　该器件的栅极驱动特性设计优化，能够与常见的驱动电路兼容，降低了设计复杂度并提高了系统的稳定性。此外，IXFN26N90 还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，从而在高频开关应用中表现出色。

应用

IXFN26N90 被广泛应用于各种电力电子设备中，例如工业级开关电源（SMPS）、DC-DC 升压/降压转换器、太阳能逆变器、电机驱动器和不间断电源（UPS）系统。由于其高电压和高电流能力，该器件在工业自动化控制系统中也常用于高功率负载的控制。
　　在新能源领域，如光伏逆变器和电动车充电系统中，IXFN26N90 也发挥着重要作用。此外，它还适用于高功率 LED 照明系统、电焊机、感应加热设备等需要高效率功率控制的场合。
　　由于其优异的电气特性和热稳定性，IXFN26N90 也常被用于需要长时间连续运行的设备，如服务器电源、医疗电源以及高可靠性工业控制系统。