时间：2025/5/23 18:32:39
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GJM0335C1E4R1WB01D 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的 GaN 工艺，能够提供更高的开关速度、更低的导通电阻以及更小的封装尺寸，非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电模块以及 LED 驱动等领域。
这款晶体管具有出色的热性能和耐压能力，能够在高频率和高功率密度环境下稳定运行，同时支持表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产。
型号：GJM0335C1E4R1WB01D
类型：增强型氮化镓 (GaN) 功率晶体管
漏源极击穿电压：650V
导通电阻：40mΩ（典型值）
栅极阈值电压：2.5V~5V
最大漏极电流：8A
封装形式：LLP-8
工作温度范围：-55℃~+150℃
1. 基于氮化镓 (GaN) 技术，提供卓越的高频开关性能。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低功率损耗。
3. 高击穿电压 (650V)，确保在高压环境下的可靠性。
4. 支持表面贴装 (SMT)，简化制造工艺。
5. 小巧的 LLP-8 封装，节省电路板空间。
6. 宽工作温度范围 (-55℃至+150℃)，适应各种恶劣环境。
7. 适用于高效率电源转换和高频应用。
8. 内置静电保护功能，提高抗干扰能力。
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器
2. DC-DC 转换器
3. 充电器和适配器
4. 无线充电设备
5. LED 照明驱动
6. 电机驱动和控制
7. 太阳能逆变器
8. 汽车电子系统中的高频电源管理
9. 数据中心和服务器电源解决方案
GJH0335C1E4R1WB01D
GJM0335C1F4R1WB01D
GJS0335C1E4R1WB01D
