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APT44F80B2 发布时间 时间:2025/7/25 11:15:29 查看 阅读:8

APT44F80B2 是一款由 Microchip Technology 生产的双通道、N沟道增强型功率 MOSFET,常用于高功率密度和高效率的电源转换系统中。该器件采用先进的 Power MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性,适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统以及其他高功率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  配置:双通道
  最大漏源电压(VDS):80V
  最大漏极电流(ID):40A
  导通电阻(RDS(on)):23mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):120nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:PowerPAK SO-8 双面散热

特性

APT44F80B2 是一款高性能的双 N 沟道功率 MOSFET,专为高效率和高功率密度的应用而设计。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,从而提高了整体系统效率。该器件采用先进的封装技术,具备双面散热能力,有助于在高负载条件下保持较低的结温,提高器件的热稳定性。
  此外,APT44F80B2 的双通道设计使得在 PCB 布局时能够减少元件数量,简化电路设计,同时提高系统的可靠性和可维护性。该 MOSFET 具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,适用于高频开关电源和电机控制应用。

应用

APT44F80B2 主要应用于各种高功率和高效率的电子系统中。在 DC-DC 转换器中,该器件的低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少发热。在电机驱动器和电池管理系统中,APT44F80B2 可用于控制大电流负载,确保系统的稳定性和可靠性。

替代型号

Si4410BDY, IRF7413, AOD4144

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APT44F80B2参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列POWER MOS 8™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C47A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C210 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs305nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9330pF @ 25V
  • 功率 - 最大1135W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3 变式
  • 供应商设备封装T-MAX? [B2]
  • 包装管件