SI7904DN 时间：2025/7/15 21:12:41 阅读：7

SI7904DN 是由 Vishay Siliconix 生产的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于需要高效率和低导通电阻的电源管理领域。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。SI7904DN 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用。

参数

类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：16 A
　　导通电阻 Rds(on) @4.5V：4.2 mΩ
　　导通电阻 Rds(on) @2.5V：5.3 mΩ
　　功率耗散（Pd）：47 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

SI7904DN 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，在 Vgs = 4.5V 时仅为 4.2mΩ，这有助于减少在高电流应用中的功率损耗。
　　此外，该器件具有较高的电流处理能力，额定漏极电流可达 16A，在高温下仍能保持稳定性能。
　　SI7904DN 使用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了开关特性和热性能，使其适用于高频开关应用。
　　该器件还具备良好的热稳定性，内部结构设计有利于快速散热，确保在恶劣环境下的可靠运行。
　　其栅极驱动电压范围较宽，可在 2.5V 至 4.5V 之间正常工作，兼容多种控制器的输出电平，特别适合用于同步整流和低压降转换器中。
　　封装方面，SI7904DN 采用 TO-252（DPAK）封装，便于焊接和安装，同时也具备较好的机械强度。

应用

SI7904DN 主要用于以下几类应用：
　　首先，在 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流器使用，其低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率。
　　其次，在电机驱动电路中，SI7904DN 可以作为 H 桥的上下桥臂，实现对直流电机或步进电机的高效控制。
　　此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电路径上的开关元件，能够承受较大的瞬态电流。
　　由于其良好的热稳定性和高电流能力，SI7904DN 还可用于服务器电源、笔记本电脑适配器、LED 照明驱动器等对空间和效率有较高要求的场合。
　　同时，该 MOSFET 在负载开关和电源管理模块中也有广泛应用，例如用于智能电源分配、过载保护和自动关断等功能。