IXFH26N65X2是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管,广泛应用于高电压和高电流场景,例如电源转换器、逆变器、电机控制和工业自动化设备。这款晶体管采用TO-247封装,具备低导通电阻(Rds(on))特性,同时具备高耐压能力,适用于要求高效率和高可靠性的功率电子设计。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):26A
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.21Ω(最大值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
IXFH26N65X2具有多项优异的电气特性,能够满足高功率应用的需求。其导通电阻仅为0.21Ω,在同类器件中表现突出,有助于降低功率损耗并提高效率。该晶体管的最大漏源电压为650V,支持在高电压环境下稳定运行,同时其最大漏极电流为26A,能够承受较大的负载电流。此外,该器件具备±20V的栅源电压容限,能够在复杂的工作条件下保持稳定性,减少因电压波动导致的失效风险。
另一个重要特性是其热性能优异,TO-247封装设计有助于散热,从而提升器件的可靠性和寿命。这款晶体管还具有快速开关能力,适用于高频开关电源等对响应速度有较高要求的场合。此外,其工作温度范围宽,支持从-55°C到+150°C的环境温度下运行,适用于各种严苛的工作环境,包括工业控制、新能源系统等应用场景。
IXFH26N65X2广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器和太阳能逆变器等。在电源管理领域,它可用于高效能开关电源(SMPS)设计,提供高效率的能量转换。在电机驱动和逆变器应用中,该晶体管的高电流承载能力和快速开关特性能够有效提升系统性能。此外,在太阳能逆变器中,它支持将直流电转换为交流电,满足可再生能源系统的电力转换需求。由于其卓越的电气性能和可靠性,这款晶体管也常用于工业自动化设备和电动汽车充电系统等高要求领域。
STP26NM60N, FQA24N60, IRFGB40N60