时间：2025/6/11 19:44:17
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PL70N10BGD5是一款N沟道增强型MOSFET，采用PDFN33封装。该器件适用于需要高效能开关的各类电子应用，如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电源管理模块等。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。
该MOSFET的工作电压范围为10V，具备快速开关速度和优秀的热稳定性。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源极电压：10V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：19A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
总栅极电荷：14nC
开关时间：ton=11ns, toff=9ns
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功耗。
2. 高效的开关性能，支持高频应用。
3. 强大的浪涌能力，确保在瞬态条件下可靠运行。
4. 紧凑的PDFN33封装，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 良好的热稳定性和电气性能，适用于严苛环境。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动和控制
4. 负载开关
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业自动化设备
7. 消费类电子产品中的电源管理模块
