时间：2025/5/7 9:21:56
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STTH8R06G-TR是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景中。其主要特点是低导通电阻和高效率，适合需要高效能的电路设计。
STTH8R06G-TR属于MDmesh M5技术系列，具有较低的导通损耗和较高的开关性能，能够显著提升系统的整体效率。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷：19nC
总电容（输入电容）：1240pF
功耗：78W
工作温度范围：-55℃至+175℃
STTH8R06G-TR的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高效的开关性能，适用于高频应用。
3. 较高的漏源电压额定值（60V），确保在各种应用场景下的可靠性。
4. 大电流处理能力（最大13A），满足大功率应用需求。
5. 宽工作温度范围（-55℃至+175℃），适应多种环境条件。
6. TO-220FP封装形式，便于散热和安装。
此外，该器件还具备出色的热稳定性和抗浪涌能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
STTH8R06G-TR适用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动控制电路中的功率级元件。
4. 负载切换电路中的电子开关。
5. 各种工业设备和汽车电子系统中的功率管理模块。
由于其高效的性能和可靠的稳定性，STTH8R06G-TR成为许多高要求应用的理想选择。
STTH8R06K6-TR, STTH8R06L6-TR
