BUK9226-75A,118是一款由NXP Semiconductors(原Philips)制造的高性能N沟道MOSFET。该器件主要用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统,如电源转换器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制应用。其采用了先进的TrenchMOS技术,能够在高电流条件下保持较低的导通电阻,从而提高效率并降低功耗。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):75V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):120A @ 25°C, 83A @ 100°C
导通电阻(Rds(on)):3.7mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-220AB
安装类型:通孔安装
功耗(Pd):190W
BUK9226-75A,118具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著减少导通损耗,从而提高整体系统效率。这在高电流应用中尤为重要,例如工业电源和电机控制。其次,该器件采用TrenchMOS技术,提供了更高的电流密度和更好的热稳定性。
此外,BUK9226-75A,118具备较高的最大漏源电压(75V),使其适用于多种中高功率应用。其高栅极电压容限(±20V)增强了在不同驱动条件下的可靠性。器件的封装设计(TO-220AB)有助于良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
在热性能方面,该MOSFET具有190W的最大功耗能力,适用于需要长时间运行和高可靠性的应用场景。其工作温度范围宽达-55°C至175°C,使得该器件能够在极端环境条件下稳定工作。
BUK9226-75A,118广泛应用于多个高功率电子系统。常见用途包括电源转换器(如DC-DC转换器)、电机控制器、电池管理系统、工业自动化设备以及电动工具和电动车的电源管理模块。此外,它也可用于高功率负载开关、UPS系统和太阳能逆变器等应用。由于其出色的导通性能和热管理能力,该MOSFET在需要高可靠性和高效能的环境中表现出色。
SiHH120N75TD-GE3, FDP120N75DC, STP120N75F7