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IXFH18N65X2 发布时间 时间:2025/8/6 0:53:23 查看 阅读:12

IXFH18N65X2 是一款由 Littelfuse(前身为 IXYS Corporation)制造的高电压 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率密度应用,如电源转换器、逆变器、马达控制、电池充电器和工业自动化设备。IXFH18N65X2 采用先进的高压 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大漏极电流(Id):18A(在 Tc=25°C 下)
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  漏源导通电阻(Rds(on)):0.24Ω(最大值)
  功率耗散(Ptot):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFH18N65X2 具备一系列优异的电气和物理特性,使其在高压功率应用中表现出色。其主要特性包括:
  ? 低导通电阻(Rds(on)):该 MOSFET 的最大导通电阻仅为 0.24Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  ? 高耐压能力:最大漏源电压为 650V,适用于中高功率转换器和逆变器等应用。
  ? 高电流能力:最大连续漏极电流为 18A,可在较高负载条件下稳定运行。
  ? 高速开关特性:该器件具备较快的开关速度,有助于减少开关损耗,提高系统的动态响应能力。
  ? 热稳定性好:TO-247 封装具有良好的散热性能,确保在高功率密度条件下仍能保持稳定运行。
  ? 宽工作温度范围:支持 -55°C 至 +150°C 的工作温度范围,适用于各种恶劣环境条件下的应用。
  ? 高可靠性:采用先进的制造工艺和优质材料,确保在长期运行中具备出色的稳定性和可靠性。
  这些特性使得 IXFH18N65X2 在工业、通信和消费类电源系统中具有广泛的应用前景。

应用

IXFH18N65X2 被广泛应用于需要高压、高效率和高可靠性的功率电子系统中。典型的应用包括:
  ? 电源转换器(如 AC/DC 和 DC/DC 转换器)
  ? 逆变器系统(如太阳能逆变器和UPS不间断电源)
  ? 电动工具和工业马达控制
  ? 电池管理系统(BMS)
  ? 工业自动化和控制系统
  ? LED 照明驱动器
  ? 电动汽车充电设备
  该器件特别适合需要高功率密度和高效能转换的系统,同时对散热和可靠性有较高要求的应用场景。

替代型号

STP18N65M5, FQA18N65, FDPF18N65AS

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IXFH18N65X2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格300 : ¥37.18487管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)200 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)29 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1520 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)290W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3