型号：IRKH71/04
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id）：7.3 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：29 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85 Ω（最大值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　栅极电荷（Qg）：45 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（Vds=480V）
　　反向恢复时间（trr）：55 ns
　　功耗（Ptot）：75 W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：TO-220AB

IRKH71/04采用Infineon先进的TrenchSTOP? 7技术，实现了导通电阻与开关性能之间的最佳平衡，显著降低了在高频开关应用中的总损耗。其低Rds(on)值在650V耐压等级中具备竞争优势，有助于减少导通期间的功率损耗，提升整体能效。该器件的栅极电荷（Qg）经过优化，使得驱动电路的设计更为简便，同时降低了驱动损耗，特别适合用于高频率工作的电源拓扑如LLC谐振转换器或有源钳位反激式电源。此外，其快速的开关速度和较低的反向恢复电荷（Qrr）使得体二极管在续流过程中表现优异，减少了交叉导通风险和EMI干扰。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性和鲁棒性，其TO-220AB封装提供了良好的散热路径，允许在高负载条件下长时间运行。器件内部结构经过优化，增强了抗雪崩能力和dV/dt耐受性，可在瞬态过压或短路条件下保持稳定，避免因应力过大导致的早期失效。此外，IRKH71/04符合RoHS标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。其高可靠性和一致性使其成为工业电源、太阳能逆变器和电动汽车充电模块等关键应用中的理想选择。工程师在使用该器件时可结合适当的栅极驱动设计和PCB布局，进一步提升系统的动态响应和长期可靠性。

IRKH71/04广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于：交流-直流（AC-DC）电源适配器、服务器和电信电源、光伏（PV）逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器、感应加热设备以及工业电机驱动控制电路。其650V的高击穿电压使其适用于通用输入电压范围（85VAC至265VAC）下的离线式电源设计，能够承受线路瞬态过压冲击。在LLC谐振半桥或全桥拓扑中，该器件常作为主开关管使用，得益于其低开关损耗和良好的体二极管特性，可实现零电压开关（ZVS），从而大幅提升转换效率并降低电磁干扰（EMI）。此外，在DC-DC升压或降压转换器中，IRKH71/04可用于功率级开关，特别是在需要高效率和紧凑设计的场合。由于其封装便于安装散热片，也适合在空间受限但热管理要求较高的环境中部署。对于需要高可靠性的工业和户外设备，该MOSFET的稳定性能确保了系统长期运行的安全性和耐久性。

IKW75N65ES