CMP321609UD5R6MT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为 DFN(Dual Flat No-leads),适合高密度组装需求。
这款功率 MOSFET 的主要特点是具备较低的栅极电荷和输出电容,从而降低了开关损耗,同时支持高频操作。它还集成了过流保护和热关断功能,以提高系统的可靠性和安全性。
型号:CMP321609UD5R6MT
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ (在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg):25nC
总电容(Ciss):800pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:DFN-8(3.3x3.3mm)
结温(Tj):175℃
CMP321609UD5R6MT 是一款专为高效功率转换应用设计的功率 MOSFET。它的低导通电阻使其在大电流应用中表现出色,能够显著降低传导损耗。
此外,该芯片具备以下特点:
1. 高速开关能力:通过优化的栅极结构设计,实现了低栅极电荷和快速开关速度,有助于减少开关损耗。
2. 热性能优越:由于采用了高效的散热封装设计,即使在高功率密度条件下也能保持良好的散热效果。
3. 强大的保护功能:内置了过流保护和热关断机制,确保在异常工况下不会对系统造成损害。
4. 小尺寸封装:使用 DFN-8 封装,体积小巧且易于安装,非常适合紧凑型设计需求。
总体而言,这款 MOSFET 在效率、可靠性和易用性方面达到了很好的平衡,适用于多种工业和消费类电子设备。
CMP321609UD5R6MT 广泛应用于需要高效功率转换的各种场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动:控制无刷直流电机(BLDC)或其他类型电机的速度和方向。
3. 工业自动化:为可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等提供稳定的电源管理。
4. 汽车电子:应用于车载充电器、LED 照明驱动和电池管理系统(BMS)。
5. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块以及智能家居设备中的电源管理部分。
由于其高效率和小尺寸的特点,该芯片特别适合需要紧凑型设计和高性能表现的应用场合。
CMP321609UD5R6MTN, IRF3710, FDP5500