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IXTH13N80 发布时间 时间:2025/8/6 11:05:41 查看 阅读:29

IXTH13N80是一款由Littelfuse公司生产的高电压、高电流的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、工业控制、电机驱动、DC-DC转换器等高功率电子系统中。该器件采用了先进的MOSFET技术,提供了优异的导通和开关性能,同时具备较高的可靠性和耐用性。IXTH13N80封装形式通常为TO-247,适合高功率密度设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):800V
  最大漏极电流(Id):13A(连续)
  栅极电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.55Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXTH13N80具有多种优异的电气和物理特性,适用于高电压和高功率应用场景。其主要特性包括:
  1. 高耐压能力:最大漏源电压可达800V,使其适用于高压电源和工业控制系统。
  2. 低导通电阻:典型Rds(on)为0.55Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  3. 高电流承载能力:漏极电流可达13A,适合中高功率应用。
  4. 快速开关特性:具备良好的开关响应时间,适用于高频开关电路。
  5. 热稳定性强:采用高性能封装技术,能够有效散热,确保在高温环境下稳定运行。
  6. 高可靠性:器件设计经过严格测试,具备良好的抗静电和抗过热能力,提升系统整体稳定性。
  7. 宽工作温度范围:支持-55°C至+150°C的工作环境,适应多种工业应用条件。

应用

IXTH13N80广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中,主要应用领域包括:
  1. 电源管理:如AC-DC和DC-DC转换器、电源适配器、UPS系统等,用于高效能的电压转换和调节。
  2. 电机驱动:在工业自动化和电机控制系统中,作为功率开关器件控制电机的启停和速度。
  3. 工业控制设备:如PLC、变频器、伺服驱动器等,用于控制大功率负载。
  4. LED照明系统:在高功率LED驱动电源中,用于实现恒流控制和高效能电源转换。
  5. 太阳能逆变器:用于光伏系统中的DC-AC转换,提高能源转换效率。
  6. 家用电器:如电磁炉、微波炉等高功率家电产品中,作为主开关元件使用。

替代型号

STF12N80M5, FQA13N80, IRFGB40N80

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IXTH13N80参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MegaMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件