时间：2025/8/6 12:27:12
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IXFH16N90Q是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压和高功率应用而设计，具有较高的导通性能和较低的开关损耗，适用于电力电子领域中的多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：16A
漏源极电压（VDS）：900V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大值）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
IXFH16N90Q具备多项优良的电气特性。其主要特点是高电压能力，可承受高达900V的漏源电压，这使得它适用于高压电力电子系统。该MOSFET采用先进的平面技术，优化了导通电阻（RDS(on)）以减少导通损耗，同时具有较低的开关损耗，使其在高频应用中表现出色。
此外，IXFH16N90Q的封装设计具有良好的热性能，能够有效地将热量从芯片传导出去，提高系统的稳定性和可靠性。该器件还具备良好的短路耐受能力，有助于在过载或异常条件下保护电路。
栅极驱动特性方面，IXFH16N90Q的栅极电荷较低，能够快速导通和关断，从而提高开关效率并减少功耗。其±20V的栅源极电压耐受能力也为设计者提供了更大的驱动灵活性。
IXFH16N90Q广泛应用于多种高电压和高功率的电子系统中。例如，在电源转换器中，它被用于高效DC-DC转换器、AC-DC电源供应器和PFC（功率因数校正）电路。由于其高频特性，该器件也常用于开关电源和LED照明驱动器。
在工业自动化控制领域，IXFH16N90Q可用于电机驱动、变频器以及不间断电源（UPS）系统。此外，它在新能源领域也有广泛应用，例如太阳能逆变器和风能转换系统中，用于实现高效的能量转换和管理。
在消费类电子产品中，IXFH16N90Q可用于高性能电源管理模块，提供稳定可靠的功率输出。
IXFH16N90P, IXFN16N90Q
