时间：2025/6/22 5:43:29
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FN15X151K250PNG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的高压功率MOSFET，采用N沟道增强型结构。该器件适用于需要高耐压、低导通电阻以及快速开关的应用场景。其封装形式为PDFN5x6-8L，具有小尺寸和良好的散热性能，非常适合于空间受限的设计。
这款芯片主要针对消费电子、工业电源管理以及汽车应用领域，能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压VDS：700 V
最大栅源电压VGS：±20 V
连续漏极电流ID：1.9 A
导通电阻RDS(on)：2.5 Ω（在VGS=10V时）
总功耗：1.4 W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装：PDFN5x6-8L
FN15X151K250PNG具有以下显著特性：
1. 高击穿电压，支持高达700V的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（2.5Ω），可有效减少功率损耗并提升系统效率。
3. 小巧的PDFN封装设计，适合紧凑型电路布局。
4. 良好的热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。
5. 符合RoHS标准，环保且兼容现代生产工艺。
6. 快速开关速度，降低开关损耗，特别适合高频开关应用。
这些特性使得该芯片成为众多高效率、高性能应用的理想选择。
FN15X151K250PNG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机驱动电路，用于控制小型直流电机的速度和方向。
3. LED驱动器，用于调节LED亮度和颜色。
4. 工业控制设备中的功率开关。
5. 汽车电子系统，如电池管理系统和车载充电器。
6. 消费类电子产品中的适配器和充电器。
由于其高压特性和高效性能，此器件在各类需要高可靠性和高效率的场合中表现出色。
FND20X151K250PFGA, FDP15X151K250PNG
