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SMK630D 发布时间 时间:2025/6/18 21:40:01 查看 阅读:3

SMK630D是一种高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
  SMK630D设计用于支持高频率开关应用,同时具备出色的热性能和稳定性,使其在各种复杂的工作条件下都能保持可靠的运行。

参数

型号:SMK630D
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:30A
  导通电阻:0.04Ω
  栅极电荷:120nC
  最大功耗:280W
  结温范围:-55℃ to +175℃

特性

SMK630D具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效减少导通损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 出色的热稳定性,能够在高温环境下长期稳定工作。
  4. 内置过流保护功能,提高了系统的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 小型封装设计,节省电路板空间。

应用

SMK630D适用于多种电子设备和系统中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的功率转换模块。
  4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  5. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统控制。
  由于其高效的功率处理能力和可靠性,SMK630D成为众多高要求应用的理想选择。

替代型号

SKM630DB, IRF630, FDP069N06L

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