ITXH12N50 时间：2025/8/5 20:30:57 阅读：20

ITXH12N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用场景中。该器件具有较高的导通能力和较低的导通电阻，适用于功率转换、电源管理和电机控制等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：500V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.38Ω
　　功率耗散（PD）：62.5W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

ITXH12N50具备优异的电气性能和高可靠性。其高耐压能力（500V）使其适用于高压直流电源和工业设备中的功率控制。此外，该MOSFET的导通电阻较低，有助于减少导通损耗并提高效率。该器件还具有良好的热稳定性和过载保护能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能。其封装形式通常为TO-220，具备良好的散热性能，便于安装在散热器上。该MOSFET的栅极驱动要求较低，适用于多种控制电路设计。
　　此外，ITXH12N50还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变器等。其高耐用性和稳定的电气特性使其成为工业控制、电机驱动和电源管理系统中的理想选择。