时间：2025/4/29 19:00:11
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LQG15HSR18J02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的低导通电阻功率 MOSFET，采用小型封装。该器件专为高效能开关应用设计，广泛适用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。
该芯片具有极低的导通电阻以及良好的热性能表现，能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
型号：LQG15HSR18J02D
类型：N沟道 MOSFET
封装：LFPAK33 (PowerSON 3x3)
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：150A
VGS（栅源电压）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
结温：175°C
逻辑电平兼容：是
LQG15HSR18J02D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，在典型条件下仅为 1.5mΩ，能够有效减少传导损耗。
2. 高电流处理能力，支持最大连续漏极电流达 150A。
3. 小型化封装 LFPAK33（也称为 PowerSON 3x3），有助于节省电路板空间。
4. 良好的热性能，使其能够在高功率密度应用中保持稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应多种极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
LQG15HSR18J02D 适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电动工具及家用电器中的直流电机驱动。
3. 汽车电子系统的负载切换与保护电路。
4. 大功率 LED 驱动器中的开关元件。
5. 工业自动化设备中的电源管理和信号控制模块。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制及保护功能。
LQG15HVR18T02D, LQG15HSR18T02D
