类型: N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）: 1200V
　　最大漏极电流（ID）: 12A
　　导通电阻（RDS(on)): 0.85Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）: 65nC（典型值）
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装形式: TO-247
　　功率耗散（Ptot）: 140W

IXFH12N120P MOSFET 的设计旨在满足高电压和高效率系统的需求，具备以下几个关键特性：
　　1. **高压能力**：该器件的最大漏极-源极电压（VDS）为 1200V，使其适用于高压电源和逆变器应用，能够承受较高的电压应力。
　　2. **低导通电阻**：典型导通电阻为 0.85Ω，降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　3. **高电流承载能力**：最大漏极电流为 12A，适合中高功率的开关应用。
　　4. **高速开关特性**：较低的栅极电荷（Qg）有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗，提高系统整体效率。
　　5. **良好的热性能**：TO-247 封装具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
　　6. **过热保护能力**：在高温环境下依然保持稳定的性能，确保系统安全运行。
　　7. **高可靠性**：采用先进的硅技术，确保在各种恶劣工作环境下的长期稳定性。

IXFH12N120P 主要应用于以下领域：
　　1. **工业电源系统**：如高压直流电源、不间断电源（UPS）、工业逆变器等。
　　2. **电机驱动**：用于高性能电机控制和驱动电路中，提供高效的功率转换。
　　3. **可再生能源系统**：如太阳能逆变器和风力发电系统，用于实现高效的能量转换和管理。
　　4. **电动汽车充电设备**：在电动汽车充电器中，用于高压功率转换和稳压控制。
　　5. **照明系统**：用于高压 LED 照明和 HID 灯驱动电路。
　　6. **测试和测量设备**：用于高电压测试设备和电源分析仪器中。

IXFH12N120, IXFH12N120T, IXFH15N120P