时间：2025/8/6 1:39:51
阅读：32
IXFC13N80Q 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高速功率场效应晶体管（MOSFET），适用于多种高电压功率转换应用。该器件采用 TO-220 封装，具有良好的导热性能和较高的可靠性。IXFC13N80Q 主要设计用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备中的功率管理部分。该 MOSFET 的最大漏极-源极电压（VDS）为 800V，连续漏极电流（ID）为 13A，在高温条件下依然能够保持稳定的性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极-源极电压（VDS）：800V
连续漏极电流（ID）：13A
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
最大功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
IXFC13N80Q 的设计使其在高电压应用中表现出色，具有低导通电阻（RDS(on)），典型值为 0.45Ω，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频操作环境。其内部结构采用先进的平面技术，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。IXFC13N80Q 还具有出色的抗雪崩能力和高耐用性，适用于需要承受高电压和大电流的应用场景。由于其 TO-220 封装具备良好的散热性能，因此在实际使用中可以有效降低器件温度，提高整体系统稳定性。
此外，该 MOSFET 在极端工作条件下依然保持优异的性能，如高温、高湿度和高振动环境。其栅极驱动要求较低，能够与常见的控制电路兼容，简化了设计和使用过程。IXFC13N80Q 也具备良好的短路耐受能力，增强了在突发故障情况下的器件安全性。
IXFC13N80Q 常用于各种高电压功率转换设备中，例如开关电源（SMPS）、离线电源适配器、LED 照明电源、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。它也适用于需要高效能、高可靠性的消费类电子产品，如电视电源、音频放大器和电动工具等。在这些应用中，IXFC13N80Q 可以提供高效、稳定的功率管理解决方案，帮助提升系统整体性能并降低能耗。
IXFH13N80Q, STF12N80M, FQA13N80C
