时间：2025/8/6 9:01:03
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IXFX60N55Q2 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用。这款器件采用了第二代 Q2 技术，优化了导通和开关性能，同时在高温下仍能保持稳定工作。IXFX60N55Q2 封装为 TO-247，非常适合用于功率因数校正（PFC）、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制和各种高功率电源系统。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：550V
漏极电流（ID）@ 25°C：60A
漏极电流（ID）@ 100°C：40A
导通电阻（RDS(on)）：0.195Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：130nC（典型）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-247
IXFX60N55Q2 具备多项先进特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其采用了 Q2 技术，显著降低了开关损耗，特别是在高频操作中。这使得该 MOSFET 在功率因数校正（PFC）电路和开关电源中具有更高的效率。
其次，该器件的漏源电压高达 550V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源系统。此外，60A 的额定漏极电流（在 25°C 下）使其能够在大电流负载下稳定运行，但在高温环境下（100°C）仍能保持 40A 的电流能力，展现了良好的热稳定性。
导通电阻 RDS(on) 最大为 0.195Ω，这意味着在导通状态下，该 MOSFET 的功率损耗较低，有助于提高整体系统的效率。这对于需要长时间高负载运行的应用（如电机驱动和逆变器）尤为重要。
此外，IXFX60N55Q2 采用了 TO-247 封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热器上，确保在高功率环境下的稳定性和可靠性。该封装还支持较高的功率耗散能力，使其适用于需要高功率密度的设计。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在极端温度环境下稳定运行，适用于工业和车载应用。
IXFX60N55Q2 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括功率因数校正（PFC）电路、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、逆变器、电机控制器以及各种工业自动化设备。其高电压和大电流能力使其成为中高压电源转换和控制的理想选择。
IXFX80N55Q2, IXFH60N55Q2, STW60N55DM2, FCP60N55
