时间：2025/8/16 3:09:47
阅读：5
TGA2510-SG 是一款由 TriQuint Semiconductor（现为 Qorvo）设计制造的高功率 GaN（氮化镓）射频功率晶体管。该器件基于 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅上）技术，具有优异的热性能和高功率密度，适用于各种高频、高功率应用，如雷达、测试设备、无线基础设施和军事通信系统。TGA2510-SG 提供了出色的线性度和效率，使其成为高性能射频放大器的理想选择。
频率范围：2.7 GHz - 3.5 GHz
输出功率：125 W（连续波）
增益：18 dB
效率：50% @ 3.5 GHz
输入驻波比（VSWR）：<2.5:1
工作电压：+28V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：SMT，16 引脚
TGA2510-SG 的核心优势在于其 GaN-on-SiC 技术带来的高功率密度和优异的热管理能力。这种材料组合使得晶体管在高功率水平下依然能保持较低的工作温度，从而提高器件的稳定性和寿命。此外，TGA2510-SG 的高增益（18 dB）和高效率（50%）特性使其在高频应用中表现出色，尤其是在 3.5 GHz 左右的工作频率下。其 125 W 的连续波输出功率可以满足多种高功率需求，而无需额外的功率合成器。TGA2510-SG 采用表面贴装（SMT）封装，便于自动化装配和高密度 PCB 设计。该器件的输入驻波比小于 2.5:1，表明其在大多数负载条件下具有良好的匹配性能，减少了对额外匹配电路的需求。TGA2510-SG 还具备出色的抗失真能力和线性度，适用于需要高信号完整性的应用，如通信基站和测试设备。最后，其宽广的工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使得该器件适用于各种恶劣环境下的部署。
TGA2510-SG 被广泛应用于各种高性能射频系统，包括雷达系统、电子战设备、无线基础设施（如 5G 基站）、商业和军用通信设备、射频测试仪器以及工业加热和等离子体生成设备。其高功率输出和优异的线性度使其成为宽带放大器和窄带放大器设计中的理想选择。
由于其高可靠性和高功率密度，TGA2510-SG 还适用于需要高能量效率和紧凑设计的移动通信基站和点对点微波通信系统。
TGA2550-SG, TGF2551-SM, TGA2511-SG
