时间：2025/8/5 21:15:26
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IXFA110N15T2-TRL 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流、高电压的功率电子应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和高开关性能的特点，适用于工业控制、电源转换、电机驱动和新能源系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：110 A
最大漏源电压（VDS）：150 V
导通电阻（RDS(on))：约 5.2 mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：约 150 nC
封装类型：TO-220-3 Full Pack
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IXFA110N15T2-TRL 具备多项优越的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）显著减少了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。采用先进的沟槽式技术使器件在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高功率密度环境中稳定运行。其封装设计有助于良好的散热性能，从而延长器件寿命并提高可靠性。该器件还具有快速恢复二极管功能，适用于需要快速开关的应用场景。
该 MOSFET 广泛应用于多个领域，包括电源转换系统（如 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块）、电机控制（如变频器和伺服驱动器）、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电器）。此外，它还可用于高频开关电源、功率放大器和其他高功率电子设备。
IXFH110N15T2, IXFN110N15T2, IRFP4468PBF, APT110N15B3LL
