时间：2025/6/20 14:51:54
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SD20-0836R9UBQ1是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度，能够显著降低能耗并提升系统性能。其广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制以及消费类电子产品等领域。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：45nC
开关时间：ton=10ns，toff=15ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
SD20-0836R9UBQ1具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用场合。
3. 高电流承载能力，确保在大负载条件下稳定运行。
4. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
5. 小型封装设计，节省电路板空间，便于集成到紧凑型产品中。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
该芯片适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器及降压/升压模块。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
6. 消费类电子产品的充电保护和功率管理单元(PMU)。
SD20-0836R9UBQ2, IRFZ44N, FDP5570N
