RF7917TR 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的射频功率放大器(PA)芯片,专为高性能无线通信系统设计。该器件主要应用于蜂窝通信系统,如 2G、3G 和 4G 基站设备中,提供高线性度和高效率的射频信号放大能力。RF7917TR 采用先进的 GaAs HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)技术制造,能够在高频段(如 800MHz 至 900MHz)下工作,具有良好的稳定性和可靠性。
工作频率:800MHz - 900MHz
输出功率:典型值为 30dBm(1W)
增益:23dB(典型)
效率:40%(典型)
电源电压:+5V 至 +7.5V
输入/输出阻抗:50Ω
封装形式:28 引脚表面贴装(SOT-89)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF7917TR 具有优异的线性度和效率,适用于多载波和宽带通信系统。该器件采用 GaAs HBT 技术,具备高功率密度和良好的热稳定性,能够在高功率输出下保持较低的失真水平。其内部集成输入和输出匹配网络,减少了外围元件的数量,简化了电路设计并提高了系统的整体可靠性。
此外,RF7917TR 提供了过热保护和过流保护功能,确保在异常工作条件下的器件安全。其紧凑的封装设计和宽泛的工作温度范围使其适用于各种苛刻环境下的应用,如户外基站、分布式天线系统和无线基础设施设备。
该芯片的另一个显著特点是其宽电压工作范围(+5V 至 +7.5V),这为设计人员提供了更大的灵活性,适应不同的电源管理方案。
RF7917TR 主要用于蜂窝通信基础设施设备,如 GSM、CDMA 和 LTE 基站的射频功率放大器模块。此外,它也可用于无线本地环路(WLL)、点对点微波通信系统、工业控制系统和测试测量设备中的射频功率放大环节。由于其高可靠性和高效率特性,RF7917TR 非常适合需要长时间稳定运行的高密度通信系统。
RF7918TR, HMC392, ADL5542