IXDI514SIA 时间：2025/8/6 9:40:37 阅读：9

IXDI514SIA是一款由IXYS公司制造的高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路，广泛用于电源转换和电机控制应用。该器件采用SOIC-8封装，具有高输出电流能力，能够在高频下驱动功率开关器件。其设计目的是提供快速的传输延迟和上升/下降时间，确保功率器件在开关过程中高效运行。IXDI514SIA适用于半桥结构的功率转换器，例如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和不间断电源（UPS）系统。

参数

类型：MOSFET/IGBT驱动器
　　封装类型：SOIC-8
　　输出电流：±4.0A（峰值）
　　传输延迟：最大35ns
　　上升/下降时间：约12ns（典型值）
　　工作电压范围：10V至20V
　　输入逻辑兼容性：3.3V、5V和15V逻辑电平
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　隔离电压：无内部隔离
　　驱动方式：非隔离式半桥驱动
　　封装材料：符合RoHS标准

特性

IXDI514SIA是一款高性能的MOSFET和IGBT驱动器，采用先进的高压集成电路技术制造，能够在高电压环境下稳定工作。该芯片具有高达±4A的峰值输出电流能力，可有效驱动大功率MOSFET和IGBT器件。其低传输延迟（最大35ns）和快速的上升/下降时间（约12ns）使其适用于高频开关应用，如高频DC-DC转换器、谐振变换器和电机驱动系统。该驱动器支持宽输入电压范围（10V至20V），适用于多种电源设计，同时兼容3.3V、5V和15V逻辑电平，便于与各种控制器连接。其内置的欠压锁定（UVLO）功能可防止在电源电压不足时误操作，提高系统的可靠性。此外，该器件具有高抗噪能力，能够减少外部干扰对驱动信号的影响。
　　IXDI514SIA采用SOIC-8封装，体积小巧，适用于紧凑型电源设计。由于其非隔离式结构，通常需要外部隔离元件（如光耦或数字隔离器）与主控电路配合使用。该芯片广泛应用于工业自动化、电源管理、可再生能源系统和电机控制等领域。