MRF325 时间：2025/9/3 8:04:14 阅读：8

MRF325是一款由NXP Semiconductors（原飞利浦半导体）生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，主要用于射频（RF）功率放大应用，如无线通信基站、广播设备和工业加热系统。该器件采用TO-247封装，具有较高的功率处理能力和良好的热稳定性，适用于高频和高效率的功率放大器设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：25A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.28Ω
　　工作频率：可达175MHz
　　封装类型：TO-247

特性

MRF325具备出色的射频功率放大性能，其高漏源电压额定值（500V）和大电流承载能力使其适用于高功率应用场景。
　　该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)）约为0.28Ω，有助于降低导通损耗，提高效率。
　　在高频应用中，MRF325表现出优异的线性度和稳定性，适用于AM、FM、TV广播发射机和蜂窝通信基站的功率放大器设计。
　　其TO-247封装设计提供了良好的散热性能，确保器件在高功率下稳定运行。
　　此外，MRF325具备良好的抗失真能力，适用于需要高保真输出信号的系统，如广播和专业通信设备。

应用

MRF325广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站的功率放大器模块。
　　它也常用于广播发射机（如调频和电视广播）中的射频功率放大电路。
　　工业和科学设备中的射频能量发生器，如等离子体发生器和感应加热装置也采用该器件。
　　此外，MRF325还可用于测试设备、射频激励器和高功率音频放大器等需要高效、高功率输出的电子系统中。