BUK761R7-40E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,适用于多种功率转换应用,例如开关电源、电机驱动和负载开关等。这款MOSFET的封装形式为LFPAK56E(Power-SO8),能够提供出色的电气和热性能。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:113A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:39nC
输入电容:3320pF
总功耗:17W
工作结温范围:-55℃至175℃
BUK761R7-40E 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力,能够支持大电流应用。
3. 快速开关特性,适合高频功率转换应用。
4. 小型化封装设计,节省PCB空间。
5. 具备良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣环境下正常工作。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品需求。
该器件广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC/DC适配器和DC/DC转换器。
2. 各类电机驱动电路,例如步进电机和无刷直流电机驱动。
3. 负载开关和保护电路,用于过流保护和快速断开。
4. 可再生能源设备中的功率管理模块,如太阳能逆变器。
5. 汽车电子系统中的电池管理单元和电动助力转向系统。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRLB8749PBF, FDP5570, AO3400A