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IXD1209F252MR-G 发布时间 时间:2025/12/26 23:34:26 查看 阅读:11

IXD1209F252MR-G是一款由IXYS公司生产的高性能、低功耗同步降压型DC-DC转换器,广泛应用于需要高效电源管理的便携式设备和嵌入式系统中。该芯片集成了一个高边N沟道MOSFET和一个低边MOSFET,支持宽输入电压范围,并通过内部补偿机制简化了外部元件设计,使其成为空间受限应用的理想选择。IXD1209F252MR-G采用恒定导通时间(COT)控制架构,能够在负载瞬态变化时提供快速响应,确保输出电压稳定。其封装形式为小型化的DFN1212-6L,有助于节省PCB面积,适用于智能手机、平板电脑、物联网设备以及工业传感器等对尺寸和能效有严格要求的应用场景。
  该器件在轻载条件下自动进入脉冲频率调制(PFM)模式,显著降低静态电流,从而延长电池寿命。同时,在重载或连续负载条件下则切换至脉宽调制(PWM)模式,以实现更高的转换效率和更低的输出纹波。IXD1209F252MR-G还具备多种保护功能,包括过流保护、过温保护和输出短路保护,增强了系统的可靠性与安全性。此外,该芯片符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造流程。

参数

型号:IXD1209F252MR-G
  制造商:IXYS (现隶属于Littelfuse)
  产品类型:同步降压DC-DC转换器
  拓扑结构:Buck (Step-Down)
  输入电压范围:2.7V 至 5.5V
  输出电压:2.5V(固定)
  最大输出电流:1.2A
  工作频率:典型值2MHz
  控制方式:恒定导通时间(COT)
  反馈参考电压:0.6V
  静态电流:30μA(典型值)
  关断电流:小于1μA
  占空比范围:0% 至 100%
  封装类型:DFN1212-6L
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数:6
  安装类型:表面贴装(SMD)
  调节类型:固定输出
  可调软启动:否
  同步整流:是
  PSRR(电源抑制比):在低频下可达60dB以上
  输出电容兼容性:支持陶瓷电容
  最小导通时间:约50ns
  最小关断时间:约150ns

特性

IXD1209F252MR-G采用先进的恒定导通时间(COT)控制架构,这种控制方式无需复杂的环路补偿设计,极大简化了外部电路的设计难度,尤其适合不具备专业电源设计经验的工程师使用。COT控制机制能够根据输出电压的变化动态调整开关周期,实现极快的瞬态响应能力,即使在负载从零突增至满载的情况下也能保持较小的输出电压波动,通常峰峰值纹波控制在±2%以内。这一特性对于为微处理器、FPGA或射频模块等敏感负载供电至关重要。
  该芯片内置上管和下管功率MOSFET,其中高边MOSFET具有低Rds(on)特性,减少了导通损耗,提高了整体转换效率。在典型应用条件下(如VIN=3.6V, VOUT=2.5V, IOUT=1A),转换效率可达到95%以上,有效降低了热耗散需求,允许在紧凑空间内实现高功率密度设计。此外,其高达2MHz的开关频率使得可以使用小型化电感和陶瓷电容,进一步减小整体解决方案尺寸。
  为了优化不同负载条件下的能效表现,IXD1209F252MR-G具备智能模式切换功能。在轻载或待机状态下,芯片自动进入PFM模式,仅在必要时进行开关操作,大幅降低静态功耗;当检测到负载增加时,则无缝切换回PWM模式,维持稳定的输出电压和高效的能量传输。这种自适应工作机制特别适用于由电池供电的设备,有助于延长续航时间。
  该器件还集成了多重保护机制,包括逐周期限流保护、打嗝模式短路保护以及热关断功能。当发生输出短路或过流事件时,控制器会限制输出电流并周期性尝试重启,防止永久性损坏。内部热传感器在结温超过安全阈值(通常为150°C)时触发关断,待温度下降后自动恢复运行,提升了系统鲁棒性。所有这些功能均集成于微型DFN封装中,展现了高度集成化与可靠性的结合。

应用

IXD1209F252MR-G主要应用于对空间和能效有严苛要求的便携式电子设备。例如,在智能手机和平板电脑中,它可用于为基带处理器、摄像头模组或音频编解码器提供稳定的2.5V电源轨,其高效率和低静态电流特性有助于提升整机续航能力。
  在物联网(IoT)终端设备中,如无线传感器节点、智能家居控制器或可穿戴健康监测设备,该芯片凭借其超低待机功耗和小型封装优势,成为理想的电源解决方案。特别是在采用纽扣电池或小型锂聚合物电池供电的应用中,长时间待机与突发工作交替的工作模式下,IXD1209F252MR-G的PFM/PWM自动切换机制能够最大限度地节约电能。
  工业自动化领域中的小型PLC模块、RS-485通信接口电源隔离电路、以及便携式测试仪器也常采用此类高效同步降压转换器。由于其良好的瞬态响应性能和抗干扰能力,能够在电磁环境复杂的工厂现场稳定运行。
  此外,该芯片还可用于为FPGA、ASIC或MCU的核心逻辑部分供电,尤其是在需要精确、低噪声电源轨的场合。配合适当的LC滤波网络,能够满足高速数字电路对电源纹波的严格要求。由于其支持全陶瓷输出电容设计,避免了传统电解电容带来的体积大、寿命短等问题,提升了整个系统的长期可靠性。

替代型号

[
   "AP2112K-2.5TRG1",
   "XC6206P251MR",
   "RT9193-25GB",
   "ME6211C25M5G-N"
  ]

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IXD1209F252MR-G参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格24,000 : ¥2.86197卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 输出配置
  • 输出类型固定
  • 稳压器数1
  • 电压 - 输入(最大值)10V
  • 电压 - 输出(最小值/固定)2.5V
  • 电压 - 输出(最大值)-
  • 电压降(最大值)0.29V @ 100mA
  • 电流 - 输出150mA
  • 电流 - 静态 (Iq)50 μA
  • 电流 - 供电(最大值)-
  • PSRR70dB(10kHz)
  • 控制特性使能
  • 保护功能短路
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-74A,SOT-753
  • 供应商器件封装SOT-25